从相机里删除照片 vs 从电脑上删除照片,哪个伤存储卡

从相机里删除照片 vs 从电脑上删除照片,哪个伤存储卡

之前无意中刷到过从电脑上删除照片伤存储卡的内容,也刷到过从相机里面删除照片伤存储卡的视频,而且还不缺乏大V认证的摄影师,所以你们咋说都有理呗,那我信谁呢,那我就谁都不信呗,我信我自己!

当然,期间我看到另一个观点,没有说伤不伤害卡这个事,只是说不建议直接从相机里面删除照片,理由是相机的屏幕基本上都比较小,屏幕的显示效果各家也各有不同,特别是SONY的,有可能当时在相机上直接看的照片感觉不行,后期导到电脑上发现有非常不错的亮点,但如果在相机上就删除了那就可惜了,所以建议不要在相机上删照片,不确定是不是后面流传曲解成了从相机上删除照片,伤存储卡这个观点。

先说结论

大家时间都比较紧张,不浪费大家时间,先说结论,不要过于相信网上这个视频说的相机删不行,那个视频说的电脑删不行,当然这里我说的可能也是扯犊子,是不是还是得自己判断。

  • 相机删除和电脑删除的操作都会对存储卡伤害,从哪儿删除,没有区别。要说区别吧,那就是删除的方式,一张一张删除比批量删除伤害寿命。
  • 尽量一次性同步照片到电脑,然后把SDXC卡在相机里面格化式。毕竟在哪用的就在哪儿格化式兼容最好。
  • 尽量每一次存储得够满再格式化
  • 删除操作的话那就尽量批量删除
  • 别把卡放在电脑上当硬盘,特别是放运行程序,频繁修改碎片化文件的情况下。
  • 最后也别那么省,别那么注意,大部分时间到卡丢了、或卡折坏了、卡过保了,卡存储数据都还好的。

先看一段老外的视频

SD卡的技术

按WIKI上的路径,SD卡的技术是建基于MultiMedia卡格式上,MMC卡又是基于东芝的NAND快闪记忆技术,所以可建立等式为:SDXC卡 = 基于NAND闪存技术的存储卡。

NAND闪存的基本原理(这一部分无趣的建议跳过)

NAND Flash是一种非易失性存储技术,意味着即使断电,它也能保持数据。

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跟上面的视频一样,NAND闪存通过控制电子在浮栅晶体管中的存在与否来存储数据,通过改变浮栅上的电荷来表示0或1,根本上还是二进制。

NAND Flash的基本存储单元是浮栅晶体管(Floating Gate Transistor)。多个这样的晶体管串联在一起,形成一个NAND存储单元,每个存储单元(Cell)可以存储一个比特。

一起排的越多,能存储的数据越大,一起排的越多,那查找的时候也就越难定位,速度也就会慢。这也算是为什么高速卡会很贵了吧。

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这些单元按照块(Block)页(Page)的层次组织,每个块由多个页组成。

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写入操作:当你在闪存中写入数据时,实际上是将电子添加到浮栅中,使其变为"0"。如果浮栅中已经有电子(表示"0"),你不能直接将其变为"1",必须先擦除。

擦除操作:擦除是通过施加反向电压,强制移除浮栅上的电子,恢复到初始状态(表示"1")。但是,这个过程只能以块为单位进行。

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管存储介质可被这样写入和擦除的次数叫:P/E (Program/Erase) 周期

用个例子来说明一下擦除

初始状态:假设有一个闪存块,里面有三个页(Page1、Page2、Page3),每个页都存储了数据。

块1:

  • Page1:有效数据

  • Page2:有效数据

  • Page3:有效数据

删除数据:你删除了Page2中的数据,但实际上只是在文件系统中标记为已删除,数据仍然存在。

块1:

  • Page1:有效数据

  • Page2:无效数据(已删除)

  • Page3:有效数据

垃圾回收:为了释放空间,控制器会执行垃圾回收:

将Page1和Page3中的有效数据复制到新块的空白页中。

擦除整个块1中的所有数据(包括有效和无效数据)。

新块:

  • Page1':有效数据(来自原Page1)

  • Page2':空白

  • Page3':有效数据(来自原Page3)

所以我们是我们删除某一个的时候,不是其它的不动,而是把保留的数据复制到新的地方,然后擦除快。如果我要把另外一个删除的时候,还是会做这样的操作。

这时候如果我批量删除或者格式化,就只是擦除块,而没有复制留数据到新的地方那一步。这样就少消耗了P/E循环次数。

还有一个就是,现在的技术进步了,写入数据的时候会自动平衡每一个P/E循环次数,以达到整体的平衡,这样的话,那就是容量越大,可以平衡的数量就越大,同样使用方式的情况下P/E的循环次数就会更好。

那算一下普通卡能用多久呢

不同类型的NAND闪存有不同的P/E循环次数限制,我们拿刚刚上面中间的MLC和TLC来说

  • MLC:约10,000次循环
  • TLC:约3,000次循环

粗略计算一下

本来打算用:理论寿命 ≈ 卡容量 × 擦写次数 ÷ 年写入量。然后搜着发现这个不太严谨,接着就出现了下面这个公式:

TBW = (设备容量 × P/E周期) / 写入放大因子(WAF)

公式的具体理由就google搜TBW吧

假设WAF=3的情况下得出结果为

  • MLC:256GB:约23.38年
  • TLC:256GB:约7.01年

所以就稍微注意一下,其它的还是正常用吧,忍住那些单个文件也想删除的欲望。


视频来自油管视频博主:BLITZ , Majid Goraya